正鉑雷射專注於提供全方位的雷射應用解決方案，是台灣專業的雷射設備製造商與整合服務提供者。我們擁有多款高性能的雷射雕刻機與雷雕機，廣泛應用於金屬、塑膠、玻璃、陶瓷等多種材質的精密加工，滿足各類產業對高效率與高精度的要求。
無論您是需要細緻的雷射雕刻，還是大面積的快速雷射打標，我們的雷射打標機與雷射雕刻機皆能穩定輸出、效果清晰、速度快速。雷雕機結合自動對焦與高功率雷射模組，能應用於電子、五金、工藝品等多元產業。
正鉑雷射的雷射焊接設備結合高功率光纖雷射與精密控制系統，可大幅提升焊接品質與加工效率，特別適用於鋰電池、電子組件與醫療器械的焊接需求。此外，我們也提供最新一代的雷射清潔機，專為模具、金屬表面、油漬與氧化層清除設計，有效取代傳統化學或機械式清潔方式，綠色環保、維護成本低。
我們了解每個產業對雷射加工的需求不同，因此提供客製化的雷射雕刻、雷射打標與雷射焊接解決方案。正鉑雷射不僅銷售雷雕機、雷射雕刻機與雷射打標機，更重視設備的穩定性與售後服務，協助企業強化生產力與產品品質。
無論您正在尋找高效率的雷射打標機、耐用的雷射雕刻機，還是多功能的雷射清潔機，正鉑雷射都是您值得信賴的合作夥伴。
在追求更小晶片尺寸與更高產出的今日，傳統的加工方式面臨挑戰。本文將深入探討雷射隱形切割技術的核心優勢，並對比其與傳統刀輪切割的具體差異，為技術專家提供最精確的製程參考。
隱形切割是一種先進的晶圓加工技術，其核心原理是利用特定波長的雷射透過材料表面，在材料內部進行改性 。與傳統消融切割不同，它具備以下特點：
根據技術實測數據，隱形切割展現極高的精密性，但也存在特定的物理限制，專業技術人員在導入時需考量以下參數(以正鉑雷射隱形切割設備為例)：
| 項目 | 技術規格與要求 |
|---|---|
| 對應材質 | 矽晶圆 (Mems, Rfid, Memory等)、GaAs、InP、SiC、GaN |
| 切割道寬度 | 最小可縮至 20μm（常規矽面入射時） |
| 崩邊控制 | 一般小於 3μm（電阻率 >1Ω•cm 時） |
| 抗折強度 | 約 400~600Mpa，與刀輪切割強度相當 |
| 表面要求 | 表面必須光滑，需經過 2000 目以上的研磨 |
在生產決策中，產出率 (UPH) 與總擁有成本 (TCO) 是關鍵指標。隱形切割在速度與耗材成本上具有顯著優勢。
| 比較項目 | 傳統刀輪切割 | 雷射隱形切割 |
|---|---|---|
| 切割速度(厚度400μm) | 50~70mm/s | 600~800mm/s |
| 加工通行次數 (厚度400μm) | 一般使用 2pass | 一般使用 4pass |
| 耗材與維護成本 | 需刀片、切割液、去離子水 | 無水與保護液耗材 |
| 主要機制 | 表面去除材料 | 內部材料改性 |
Q: 隱形切割的熱效應會影響晶片嗎？
A: 最大的散射區域為單邊 10μm。在切割道大於 20μm 的情況下，一般不會影響晶片性能 。
Q: 哪些情況「不適合」使用隱形切割？
A: 根據技術指南，以下情況需特別注意 ：
Q: 隱形切割後如何分離晶片？
A: 矽隱切後通常直接擴片（小於 500μm 晶片大概率需裂片）；而 GaAs, InP, SiC 和 GaN 隱切後則必須執行裂片動作 。
隱形切割技術以其高速度（比傳統刀輪快約 10 倍 ）、低耗材成本以及優異的加工品質，正成為半導體後段製程的主流選擇。然而，對於低阻矽或特定晶向 (111) 的材料，仍需依靠資深工程師的參數調校以確保最佳良率 。
